韦尔股份取得一种功率MOSFET版图专利，专利技术能降低源极区未直接接触封装体的部分电流密度，快速进行芯片的散热

金融界2024年5月30日消息，据国家知识产权局公告，上海韦尔半导体股份有限公司取得一项名为“一种功率MOSFET版图”，授权公告号CN221041127U，申请日期为2023年9月。

专利摘要显示，本申请实施例提供了一种功率MOSFET版图，包括：源极区和栅极区；所述栅极区设置在整个版图对角线的一端，所述源极区具有间隔设置的第一沟槽区和第二沟槽区，所述第一沟槽区包括多个间隔设置的第一沟槽，多个所述第一沟槽相互之间设置有第一阱区，所述第二沟槽区包括多个间隔设置的第二沟槽，多个所述第二沟槽相互之间设置有第二阱区，所述第一阱区和第二阱区的掺杂浓度不同。本申请实施例可以使源极区未直接接触封装体的部分电流密度降低，可以快速的进行芯片的散热。

来源：金融界